更新日期：2009.03.20
SECOS MMBTH10 NPN射頻(RF)電晶體簡介
SECOS MMBTH10 NPN 射頻電晶體(NPN Radio Frequency
Transistor)，使用SOT-23封裝，主要設計應用在UHF/VHF 低雜訊放大器、RF/VHF混頻； 使用共射極或共基極作業模式，集極電流在
100uA～30mA 範圍內的應用，低頻率飄移設計需求、高輸出VHF振盪器等應用上。歡迎來電洽詢(02-2999-6757)，或按此下載規格書。
主要特性
- 適用高電流-增益頻寬比產品
- 保證電流-頻帶寬度比至少為 650 MHz
- 集極電流最高達50mA
- 使用 SOT-23 樹脂包裝，抗腐蝕性高
- 工業規格的操作環境溫度：攝氏 -55～150 度
主要應用
- 低頻率 VHF/UHF 擴大器
- 電視接收器的 VHF 混頻器
- 低頻率飄移(Frequency Drift)、高輸出振盪器
焊接佈局建議
